%0 Journal Article
%T 化学气相沉积法制备sn2s3一维纳米结构阵列
%A 彭跃华
%A 周海青
%A 刘湘衡
%A 何熊武
%A 赵丁
%A 海阔
%A 周伟昌
%A 袁华军
%A 唐东升
%J 物理化学学报
%D 2011
%X 运用化学气相沉积法(cvd),直接以sn和s为原料分区加热蒸发,通过控制温度分布、气压、载气流量和金属铅纳米颗粒分布等宏观实验条件,成功制备大面积sn2s3一维纳米结构阵列.扫描电子显微镜(sem)图片显示:sn2s3一维纳米结构的横向尺度在100nm左右,长约几个微米.x射线衍射（xrd）谱显示:所制备样品的晶体结构属于正交晶系,沿[002]方向生长.紫外-可见漫反射谱表明sn2s3一维纳米结构是带隙为2.0ev的直接带隙半导体.讨论了温度分布和金属铅纳米颗粒对sn2s3一维纳米结构生长的影响,并指出其生长可能遵循气-固(v-s)生长机理.
%K 一维纳米结构
%K 阵列
%K 化学气相沉积法
%K 三硫化二锡
%K 气-固生长机理
%U http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract27492.shtml