光诱导约束刻蚀体系中羟基自由基生成的影响因素

采用荧光分析,暂态光电流响应分析,电化学交流阻抗谱(eis)和mott-schottky响应分析考察了外加电位,光照时间,溶液ph等几个关键因素对光诱导约束刻蚀体系中tio2纳米管阵列表面游离·oh生成的影响.结果表明:当外加电位为1.0v时,光电协同产生游离·oh效率最高;·oh的光催化生成与消耗能很快达到稳态,形成稳定的约束刻蚀剂层,有利于保持刻蚀过程中的精度;当ph为10时,tio2纳米管光催化产生游离·oh效率最高.研究结果对于调控和优化光诱导约束刻蚀平坦化铜的溶液体系,提高铜的刻蚀速度或平坦化精度有重要的指导意义.