%0 Journal Article
%T 光诱导约束刻蚀体系中羟基自由基生成的影响因素
%A 胡艳
%A 方秋艳
%A 周剑章
%A 詹东平
%A 时康
%A 田中群
%A 田昭武
%J 物理化学学报
%D 2013
%X 采用荧光分析,暂态光电流响应分析,电化学交流阻抗谱(eis)和mott-schottky响应分析考察了外加电位,光照时间,溶液ph等几个关键因素对光诱导约束刻蚀体系中tio2纳米管阵列表面游离·oh生成的影响.结果表明:当外加电位为1.0v时,光电协同产生游离·oh效率最高;·oh的光催化生成与消耗能很快达到稳态,形成稳定的约束刻蚀剂层,有利于保持刻蚀过程中的精度;当ph为10时,tio2纳米管光催化产生游离·oh效率最高.研究结果对于调控和优化光诱导约束刻蚀平坦化铜的溶液体系,提高铜的刻蚀速度或平坦化精度有重要的指导意义.
%K 光诱导约束刻蚀
%K 游离·oh
%K 荧光检测
%K 光电协同效应
%K tio2纳米管阵列
%U http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract28567.shtml