有机场效应材料氟化噻吩并四硫富瓦烯衍生物的电荷传输性质

噻吩并四硫富瓦烯(ttf)衍生物在有机场效应材料方面有较大的应用前景.应用密度泛函理论b3lyp泛函在6-31g(d,p)基组水平上计算了系列氟取代扩展噻吩并四硫富瓦烯衍生物(c2ft、t2ft及4ft)的轨道能级、电离能(ip)、电子亲和势(ea)和重组能(λ).在此基础上,进一步计算二聚体的迁移率,评估了载流子传输能力,并讨论取代位置和堆积方式对电荷传输性质的影响.计算结果表明,氟取代位置对二噻吩并四硫富瓦烯(dt-ttf)衍生物迁移率及电荷传输性质的影响较小,却有效降低了给电子能力.计算结果对设计和合成高效稳定的光电功能材料具有指导意义.