%0 Journal Article
%T 有机场效应材料氟化噻吩并四硫富瓦烯衍生物的电荷传输性质
%A 阚玉和
%A 吴凯
%A 朱玉兰
%A 侯丽梅
%A 苏忠民
%J 物理化学学报
%D 2010
%X 噻吩并四硫富瓦烯(ttf)衍生物在有机场效应材料方面有较大的应用前景.应用密度泛函理论b3lyp泛函在6-31g(d,p)基组水平上计算了系列氟取代扩展噻吩并四硫富瓦烯衍生物(c2ft、t2ft及4ft)的轨道能级、电离能(ip)、电子亲和势(ea)和重组能(λ).在此基础上,进一步计算二聚体的迁移率,评估了载流子传输能力,并讨论取代位置和堆积方式对电荷传输性质的影响.计算结果表明,氟取代位置对二噻吩并四硫富瓦烯(dt-ttf)衍生物迁移率及电荷传输性质的影响较小,却有效降低了给电子能力.计算结果对设计和合成高效稳定的光电功能材料具有指导意义.
%K 密度泛函理论
%K 有机场效应晶体管
%K 四硫富瓦烯杂环衍生物
%K 重组能
%K 迁移率
%U http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract27037.shtml