空位和b掺杂对si在石墨烯上吸附的影响

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了空位和b替位掺杂对si在石墨烯上吸附的影响.结果表明:对完整的石墨烯结构,si吸附在桥位最稳定,si吸附改变了石墨烯中c原子的自旋性质;空位和b替位掺杂均加强了si在缺陷处的吸附,空位对si在石墨烯上吸附的影响相对较大;b掺杂改变了si的稳定吸附位置(由桥位移到顶位);si在空位和b掺杂石墨烯上吸附,体系不具有磁性;b掺杂提高了石墨烯体系的导电性能;单空位缺陷不易形成,结构不稳定,b掺杂结构相对较稳定.