%0 Journal Article
%T 空位和b掺杂对si在石墨烯上吸附的影响
%A 戴宪起
%A 李艳慧
%A 赵建华
%A 唐亚楠
%J 物理化学学报
%D 2011
%X 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了空位和b替位掺杂对si在石墨烯上吸附的影响.结果表明:对完整的石墨烯结构,si吸附在桥位最稳定,si吸附改变了石墨烯中c原子的自旋性质;空位和b替位掺杂均加强了si在缺陷处的吸附,空位对si在石墨烯上吸附的影响相对较大;b掺杂改变了si的稳定吸附位置(由桥位移到顶位);si在空位和b掺杂石墨烯上吸附,体系不具有磁性;b掺杂提高了石墨烯体系的导电性能;单空位缺陷不易形成,结构不稳定,b掺杂结构相对较稳定.
%K 石墨烯
%K 空位缺陷
%K b掺杂
%K 吸附
%K si
%K 第一性原理
%U http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract27398.shtml