磁控溅射硅基薄膜应力演化实时研究

？：采用多光束应力实时测量装置监控并分析了磁控溅射si和sinx薄膜的总力及应力演化过程。在两种膜层中均观察到了应力释放及恢复现象。si膜中应力是可逆的，而sinx膜中应力是部分可逆的。物理吸附和解吸附分别是应力释放和恢复的主要原因。不可逆的应力分量来源于化学吸附，基于吸附机制建立了一个应力释放模型。