%0 Journal Article
%T 磁控溅射硅基薄膜应力演化实时研究
%A 李静平
%A 方明
%A 贺洪波
%A 邵建达
%A 李朝阳
%J 强激光与粒子束
%P 2826-2830
%D 2013
%X ？：采用多光束应力实时测量装置监控并分析了磁控溅射si和sinx薄膜的总力及应力演化过程。在两种膜层中均观察到了应力释放及恢复现象。si膜中应力是可逆的，而sinx膜中应力是部分可逆的。物理吸附和解吸附分别是应力释放和恢复的主要原因。不可逆的应力分量来源于化学吸附，基于吸附机制建立了一个应力释放模型。
%K 应力释放
%K 应力恢复
%K 物理吸附
%K 化学吸附
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract8278.shtml