单晶ysz的xe⁺辐照损伤的电子显微分析

？不同注量200kevxe+注入ysz单晶样品的电子显微分析结果表明，随着辐照注量的增加，缺陷簇的密度增大，在1×1015~1×1016cm-2xe+注量，缺陷簇密度迅速增大，形成间隙型位错环；当xe+注量增大到1×1017cm-2，缺陷簇密度的增加变得缓慢，并且有直径为2～4nm的xe气泡析出。选区电子衍射花样表明ysz样品没有产生非晶化转变。在xe+辐照的离位率高达约350dpa的情况下，ysz晶体没有非晶化，其原因主要是由于注入的xe+以气泡形式析出。