%0 Journal Article
%T 单晶ysz的xe<sup>+</sup>辐照损伤的电子显微分析
%A 向霞
%A 祖小涛
%A 吴继红
%A 朱莎
%A 王鲁闵
%J 强激光与粒子束
%P 0-0
%D 2004
%X ？不同注量200kevxe+注入ysz单晶样品的电子显微分析结果表明，随着辐照注量的增加，缺陷簇的密度增大，在1×1015~1×1016cm-2xe+注量，缺陷簇密度迅速增大，形成间隙型位错环；当xe+注量增大到1×1017cm-2，缺陷簇密度的增加变得缓慢，并且有直径为2～4nm的xe气泡析出。选区电子衍射花样表明ysz样品没有产生非晶化转变。在xe+辐照的离位率高达约350dpa的情况下，ysz晶体没有非晶化，其原因主要是由于注入的xe+以气泡形式析出。
%K 单晶ysz
%K xe＋辐照
%K 透射电子显微镜
%K 辐照缺陷
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract664.shtml