基于marangoni界面效应的数控化学抛光去除函数的研究

？利用基于marangoni界面效应对化学抛光去除函数的理论及实验进行研究，提出采用湿法化学抛光（刻蚀）方法为大口径高精度光学元件的加工提供新的解决途径。介绍了marangoni界面效应及其验证实验，运用wyko轮廓仪对熔石英基片局域刻蚀前后的粗糙度进行检测，结果表明，粗糙度基本无变化，刻蚀前后粗糙度分别为0.72nm和0.71nm。基于preston假设，建立了数控化学抛光理论模型，运用wyko干涉仪观察实验现象可知，化学抛光刻蚀曲线基本上成平底陡峭的去除函数曲线，小磨头抛光是倒置的仿高斯函数曲线。