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ISSN: 2333-9721
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11kv大功率sic光电导开关导通特性

, PP. 0-0

Keywords: 碳化硅,光电导开关,上升沿,导通电阻,大功率

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Abstract:

?采用高质量半绝缘碳化硅(sic)单晶材料制作了超快高耐压大功率sic光电导开关。应用氟化氪准分子脉冲激光器作为激发光源,得到了脉宽为40ns,上升沿为9.6ns的超快响应的电脉冲,开关的上升沿存在两个不同阶段。测试开关两端电压从1kv到10kv时开关导通的电压波形表明,开关的导通电阻随电压的增加不发生明显变化,开关在导通态时导通电阻在12ω左右。采用92ω精密电阻作为负载,计算得到开关两端外加11kv电压时通过其电流峰值高达159a,此时峰值功率达到1.4mw,在此范围内未出现载流子饱和现象。

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