%0 Journal Article
%T 11kv大功率sic光电导开关导通特性
%A 黄维
%A 常少辉
%A 陈之战
%A 施尔畏
%J 强激光与粒子束
%P 0-0
%D 2010
%X ？采用高质量半绝缘碳化硅（sic）单晶材料制作了超快高耐压大功率sic光电导开关。应用氟化氪准分子脉冲激光器作为激发光源，得到了脉宽为40ns，上升沿为9.6ns的超快响应的电脉冲，开关的上升沿存在两个不同阶段。测试开关两端电压从1kv到10kv时开关导通的电压波形表明，开关的导通电阻随电压的增加不发生明显变化，开关在导通态时导通电阻在12ω左右。采用92ω精密电阻作为负载，计算得到开关两端外加11kv电压时通过其电流峰值高达159a，此时峰值功率达到1.4mw，在此范围内未出现载流子饱和现象。
%K 碳化硅
%K 光电导开关
%K 上升沿
%K 导通电阻
%K 大功率
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract4460.shtml