退火温度对溅射铝膜结构与电性能的影响

？采用直流磁控溅射方法成功地制备了al膜，研究了退火温度对al膜表面形貌、晶体结构、应力、择优取向及反射率的影响。研究表明：不同退火温度的薄膜晶粒排布致密而光滑，均方根粗糙度小。xrd测试表明：不同温度退火的铝膜均成多晶状态，晶体结构为面心立方，退火温度升高到400℃时，al膜的应力最小达0.78gpa，薄膜平均晶粒尺寸由18.3nm增加到25.9nm；随着退火温度的升高，(200)晶面择优取向特性变好。薄膜紫外-红外反射率随着退火温度的升高而增大。