随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应

？建立了中子单粒子翻转可视化分析方法，对不同特征尺寸（0.13~1.50μm）cmos工艺商用随机静态存储器(sram)器件开展了反应堆中子单粒子翻转效应的实验研究，获得了sram器件的裂变谱中子单粒子翻转截面随特征尺寸变化的变化趋势。研究结果表明:sram器件的特征尺寸越小，其对低能中子导致的单粒子翻转的敏感性越高。