%0 Journal Article
%T 随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应
%A 郭晓强
%A 郭红霞
%A 王桂珍
%A 林东生
%A 陈伟
%A 白小燕
%A 杨善潮
%A 刘岩
%J 强激光与粒子束
%P 0-0
%D 2009
%X ？建立了中子单粒子翻转可视化分析方法，对不同特征尺寸（0.13~1.50μm）cmos工艺商用随机静态存储器(sram)器件开展了反应堆中子单粒子翻转效应的实验研究，获得了sram器件的裂变谱中子单粒子翻转截面随特征尺寸变化的变化趋势。研究结果表明:sram器件的特征尺寸越小，其对低能中子导致的单粒子翻转的敏感性越高。
%K 随机静态存储器
%K 低能中子
%K 单粒子效应
%K 反应堆
%K 特征尺寸
%K 临界电荷
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract4165.shtml