不同工艺尺寸cmos器件单粒子闩锁效应及其防护方法

？？基于建立的不同工艺尺寸的cmos器件模型，利用tcad器件模拟的方法，针对不同工艺cmos器件，开展了不同工艺尺寸cmos器件单粒子闩锁效应(sel)的研究。研究表明，器件工艺尺寸越大，sel效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制，提出了保护带、保护环两种器件级抗sel加固设计方法，并通过tcad仿真和重离子试验验证防护效果，得出最优的加固防护设计。结果表明，90nm和0.13μmcmos器件尽量选用保护带抗sel结构，0.18μm或更大工艺尺寸cmos器件建议选取保护环抗sel结构。