%0 Journal Article
%T 不同工艺尺寸cmos器件单粒子闩锁效应及其防护方法
%A 陈睿
%A 余永涛
%A 董刚
%A 上官士鹏
%A 封国强
%A 韩建伟
%A 马英起
%A 朱翔
%J 强激光与粒子束
%D 2014
%X ？？基于建立的不同工艺尺寸的cmos器件模型，利用tcad器件模拟的方法，针对不同工艺cmos器件，开展了不同工艺尺寸cmos器件单粒子闩锁效应(sel)的研究。研究表明，器件工艺尺寸越大，sel效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制，提出了保护带、保护环两种器件级抗sel加固设计方法，并通过tcad仿真和重离子试验验证防护效果，得出最优的加固防护设计。结果表明，90nm和0.13μmcmos器件尽量选用保护带抗sel结构，0.18μm或更大工艺尺寸cmos器件建议选取保护环抗sel结构。
%K 不同工艺尺寸
%K 单粒子闩锁效应
%K sel三维仿真模型
%K 防护结构
%K 重离子辐照
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract9230.shtml