高功率905nmingaas隧道结串联叠层半导体激光器

？设计出了隧道结串联叠层半导体激光器结构，采用分子束外延进行激光器材料的外延生长，材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高反射/减反射膜、焊装等工艺，制作成条宽200μm、腔长800μm的半导体激光器。两隧道结激光器在脉冲宽度100ns，重复频率10khz，30a工作电流下输出功率达到80w，峰值发射波长为905.6nm，器件的阈值电流为0.8a，水平和垂直方向的发散角分别为7.8°和25°。