外加气流对脉冲激光烧蚀制备纳米si晶粒尺寸分布的影响

？提出一种控制脉冲激光烧蚀制备纳米si晶粒尺寸分布的新方法。在10pa的ar环境中，采用脉冲激光烧蚀高阻抗单晶硅靶沉积制备了纳米si晶薄膜。在羽辉正上方2.0cm，距靶0.3～3.0cm范围内的不同位置引入氩气流，在烧蚀点正下方2.0cm处水平放置单晶si（111）衬底来收集制备的纳米si晶粒。利用扫描电子显微镜观察样品表面形貌，并对衬底不同位置上纳米si晶粒进行统计。结果表明：在不引入气流时，晶粒的尺寸随靶衬间距的增加先增大后减小，晶粒尺寸峰值出现在距靶1.7cm处；引入气流后，晶粒尺寸分布发生变化，在距靶1.7cm引入气流时晶粒尺寸峰值最大，在距靶3.0cm引入气流时晶粒尺寸峰值最小，且出现晶粒尺寸峰值的位置随着引入气流位置的增加而增大。