%0 Journal Article %T 外加气流对脉冲激光烧蚀制备纳米si晶粒尺寸分布的影响 %A 王英龙 %A 罗青山 %A 邓泽超 %A 褚立志 %A 丁学成 %A 梁伟华 %A 陈超 %A 傅广生 %J 强激光与粒子束 %P 0-0 %D 2010 %X ?提出一种控制脉冲激光烧蚀制备纳米si晶粒尺寸分布的新方法。在10pa的ar环境中,采用脉冲激光烧蚀高阻抗单晶硅靶沉积制备了纳米si晶薄膜。在羽辉正上方2.0cm,距靶0.3~3.0cm范围内的不同位置引入氩气流,在烧蚀点正下方2.0cm处水平放置单晶si(111)衬底来收集制备的纳米si晶粒。利用扫描电子显微镜观察样品表面形貌,并对衬底不同位置上纳米si晶粒进行统计。结果表明:在不引入气流时,晶粒的尺寸随靶衬间距的增加先增大后减小,晶粒尺寸峰值出现在距靶1.7cm处;引入气流后,晶粒尺寸分布发生变化,在距靶1.7cm引入气流时晶粒尺寸峰值最大,在距靶3.0cm引入气流时晶粒尺寸峰值最小,且出现晶粒尺寸峰值的位置随着引入气流位置的增加而增大。 %K 纳米si晶粒 %K 脉冲激光烧蚀 %K 环境气体 %K 气流 %K 尺寸分布 %U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract4781.shtml