脉冲激光作用单晶硅的等离子体光谱分析

？从激光与物质相互作用理论出发，对脉冲激光作用单晶硅的热特性进行分析。建立一套实验装置，所用激光光源的波长为1064nm,脉宽为10ns，重复频率为1hz。得到单晶硅的等离子体谱及热辐射谱，在单晶硅的光电性质基础上对其热表面损伤进行理论分析。提取380~460nm波段的单晶硅等离子体光谱，分析了谱图中siⅰ390.52nm,siⅱ385.51nm,siⅱ413.12nm三条谱线的相对强度与激光输出功率密度的对应关系。