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ISSN: 2333-9721
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ingaas/gaas应变量子阱结构在1054nm激光器中的应用

, PP. 0-0

Keywords: 金属有机物,化学气相淀积,应变量子阱,半导体激光器

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Abstract:

?采用金属有机物化学气相淀积(mocvd)方法生长了ingaas/gaas应变量子阱,通过优化生长条件和采用应变缓冲层结构获得量子阱,将该量子阱结构应用于1054nm激光器的制备。经测试该器件具有9ma低阈值电流和0.4w/a较高的单面斜率效率,在驱动电流为50ma时测得该应变量子阱光谱半宽为1.6nm,发射波长为1054nm。实验表明:通过优化工艺条件和采用应变缓冲层等手段,改善了应变量子阱质量,该结果应用于1054nm激光器的制备,取得了较好的结果。

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