%0 Journal Article
%T ingaas/gaas应变量子阱结构在1054nm激光器中的应用
%A 刘安平
%A 韩伟峰
%A 黄茂
%A 罗庆春
%J 强激光与粒子束
%P 0-0
%D 2010
%X ？采用金属有机物化学气相淀积（mocvd）方法生长了ingaas/gaas应变量子阱，通过优化生长条件和采用应变缓冲层结构获得量子阱，将该量子阱结构应用于1054nm激光器的制备。经测试该器件具有9ma低阈值电流和0.4w/a较高的单面斜率效率，在驱动电流为50ma时测得该应变量子阱光谱半宽为1.6nm，发射波长为1054nm。实验表明:通过优化工艺条件和采用应变缓冲层等手段，改善了应变量子阱质量，该结果应用于1054nm激光器的制备，取得了较好的结果。
%K 金属有机物
%K 化学气相淀积
%K 应变量子阱
%K 半导体激光器
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract4374.shtml