双极型晶体管高功率微波的损伤机理

？在模拟集成电路的抗高功率微波加固研究中，对电路中的单个晶体管进行高功率微波损伤机理研究。对晶体管进行洲入微波损伤效应实验和失效分析，得到了双极型晶体管损伤的基本规律。损伤效应实验采用注入法，分别从晶体管的三极注入微波，得到了损伤结果。对样品进行的失效分析探明了器件的损伤部位和失效机理。结果表明，高功率微波注入主要造成b-e结的退化和损伤；从基极注入微波最易损伤晶体管，而从集电极注入则相反。