cmos反相器的电磁干扰频率效应

？利用自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器，研究了cmos反相器在1mhz～20ghz电磁干扰作用下的响应。仿真结果表明：低频电磁干扰通过控制cmos反相器中mos管的导通、截止影响cmos反相器的正常工作；高频电磁干扰通过mos管中的本征电容耦合到输出端，干扰cmos反相器的工作状态；cmos反相器对于电磁干扰的敏感度随着干扰频率上升而不断降低。