%0 Journal Article
%T cmos反相器的电磁干扰频率效应
%A 陈杰
%A 杜正伟
%J 强激光与粒子束
%P 147-151
%D 2012
%X ？利用自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器，研究了cmos反相器在1mhz～20ghz电磁干扰作用下的响应。仿真结果表明：低频电磁干扰通过控制cmos反相器中mos管的导通、截止影响cmos反相器的正常工作；高频电磁干扰通过mos管中的本征电容耦合到输出端，干扰cmos反相器的工作状态；cmos反相器对于电磁干扰的敏感度随着干扰频率上升而不断降低。
%K cmos反相器
%K 器件物理模拟
%K 电磁干扰
%K 翻转
%K 耦合
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract5832.shtml