sio₂/hfo₂高反射膜的研制

？主要讨论了电子束蒸发sio2/hfo2薄膜的面形控制和损伤性能。研究了电子束蒸发工艺参数对薄膜应力以及面形的影响；分析了制备工艺对薄膜吸收、节瘤缺陷密度的影响，测量了制备薄膜的损伤阈值。研究结果表明：调整sio2蒸发时的氧分压可以有效地将薄膜的应力控制在-250~-50mpa。同时采用金属hf蒸发可以显著地将节瘤缺陷密度从12.6mm-2降低至2.7mm-2，同时将损伤阈值从30j/cm2提高至55j/cm2。？