驱动光束不均匀性研究中的硅平面薄膜

？介绍以氧化、扩散、光刻等现代半导体技术结合化学腐蚀工艺实现对si片的定向自截止腐蚀，制备获得用于研究驱动光束不均匀性的自支撑si平面薄膜的工艺。通过台阶仪测量厚度在3~4μm的si平面薄膜，在扫描范围为1000μm时，它的表面粗糙度在几十nm；sem测量表明，si薄膜表面颗粒度在纳米量级；探讨采用控制扩散、腐蚀参数和表面修饰处理来降低si膜表面粗糙度的方法。