1064nm与532nm激光对电子束蒸发制备的hfo₂/sio₂高反膜损伤比较

？研究了电子束蒸发制备的hfo2/sio2高反膜在1064nm与532nm激光辐照下的损伤行为。基频激光辐照时损伤形貌主要为节瘤缺陷喷溅留下的锥形坑，当能量密度较大时出现分层剥落；二倍频激光损伤主要是由电子缺陷引起的平底坑，辐照脉冲能量密度稍高时也会产生吸收性缺陷引起的锥形坑，但电子缺陷的损伤阈值更低；随着辐照脉冲能量密度的增大分层剥落逐渐成为主要的损伤形貌。分析认为，辐照激光波长的变化，引起吸收机制的变化从而导致了损伤阈值及损伤机制的差异。