氧化物正电荷影响下半导体空间电势的近似解析解研究

？建立了半导体空间电势与界面氧化物正电荷之间联系的解析表达式。从一维情况下精确的泊松方程及其边界条件出发,对n（p）型硅半导体中的泊松方程作积累（耗尽）近似,根据德拜屏蔽效应对边界条件作截断近似,得到了氧化物正电荷影响下两种类型半导体内电势的近似解析解。另外，还进行了精确数值计算,并将它与近似解析解的结果进行比较,结果表明，当氧化物正电荷增加到使p型半导体发生强反型后,近似解不再成立。根据强反型的条件,给出了p型半导体中近似解的适用范围。