%0 Journal Article
%T 氧化物正电荷影响下半导体空间电势的近似解析解研究
%A 白小燕
%A 陈伟
%A 林东生
%A 王桂珍
%A 刘岩
%A 金晓明
%A 杨善潮
%A 李瑞宾
%J 强激光与粒子束
%D 2015
%X ？建立了半导体空间电势与界面氧化物正电荷之间联系的解析表达式。从一维情况下精确的泊松方程及其边界条件出发,对n（p）型硅半导体中的泊松方程作积累（耗尽）近似,根据德拜屏蔽效应对边界条件作截断近似,得到了氧化物正电荷影响下两种类型半导体内电势的近似解析解。另外，还进行了精确数值计算,并将它与近似解析解的结果进行比较,结果表明，当氧化物正电荷增加到使p型半导体发生强反型后,近似解不再成立。根据强反型的条件,给出了p型半导体中近似解的适用范围。
%K 电离总剂量
%K 氧化物正电荷
%K 空间电势
%K 泊松方程
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract10643.shtml