si衬底对zno薄膜性能影响的研究

？使用脉冲激光沉积(pulsedlaserdeposition，pld)技术，采用两种不同纯度(99.5%和99.99%)的zno靶材，在p型si衬底上制备了两种zno/si薄膜.原子力显微镜与x射线衍射分析表明,两种样品具有相似的显微形貌与相同的晶体结构.霍尔效应测试发现，两种zno/si薄膜都展现出了低电阻率、高迁移率的电学性能，但是其导电类型完全相反.研究结果表明，衬底的性能对霍尔效应测试有巨大影响.利用二次离子质谱仪，发现了在低纯度的样品中存在着s杂质向si衬底中扩散的现象，并直接导致了衬底的导电性能的反型.