%0 Journal Article
%T si衬底对zno薄膜性能影响的研究
%A 周建青
%A 周永宁
%A 吴子景
%A 卢茜
%A 吴晓京
%J 物理
%P 0-0
%D 2008
%X ？使用脉冲激光沉积(pulsedlaserdeposition，pld)技术，采用两种不同纯度(99.5%和99.99%)的zno靶材，在p型si衬底上制备了两种zno/si薄膜.原子力显微镜与x射线衍射分析表明,两种样品具有相似的显微形貌与相同的晶体结构.霍尔效应测试发现，两种zno/si薄膜都展现出了低电阻率、高迁移率的电学性能，但是其导电类型完全相反.研究结果表明，衬底的性能对霍尔效应测试有巨大影响.利用二次离子质谱仪，发现了在低纯度的样品中存在着s杂质向si衬底中扩散的现象，并直接导致了衬底的导电性能的反型.
%K 材料科学
%K zno薄膜
%K 脉冲激光沉积
%K si衬底
%K 杂质元素s
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract31219.shtml