红外焦平面技术的重要进展──单片式sige红外焦平面阵列的物理基础和关键技术

？由ｓｉｇｅ合金与ｓｉ构成的应变层异质结构、量子阱是８０年代中期发展起来的一种新型半导体材料。本文着重讨论了单片式ｓｉｇｅ红外焦平面阵列的物理基础、高质量ｓｉｇｅ材料的制备以及低温ｓｉｇｅ器件研制中的几个关键技术。