%0 Journal Article
%T 红外焦平面技术的重要进展──单片式sige红外焦平面阵列的物理基础和关键技术
%A 魏同立
%A 郑茳
%A 吴金
%J 物理
%P 0-0
%D 1994
%X ？由ｓｉｇｅ合金与ｓｉ构成的应变层异质结构、量子阱是８０年代中期发展起来的一种新型半导体材料。本文着重讨论了单片式ｓｉｇｅ红外焦平面阵列的物理基础、高质量ｓｉｇｅ材料的制备以及低温ｓｉｇｅ器件研制中的几个关键技术。
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract29246.shtml