掺杂的pbtio_3铁电陶瓷中的正电子湮没

？正电子湮没技林（ｐａｔ）在材料缺陷的研究中有着广泛的应用［１］．但它用于铁电陶瓷组分缺陷的研究则刚刚开始．ｔｓｕｄａ［２，３］等研究了掺ｇｄ的ｂａｔｉｏ３的正电子寿命谱，证明正电子对掺ｇｄ所造成的ｂａ空位是敏感的．本文报道ｌａ，ｍｎ复合置换的ｐｂｔｉｏ３铁电陶瓷的正电子寿命谱测量结果．样品配料分子式为（ｐｈ－（１－１．５ｘ）其中表示ｐｂ空位，ｘ值从１％到１０％．样品按陶瓷工艺制成２０×２０×1....