%0 Journal Article %T 掺杂的pbtio_3铁电陶瓷中的正电子湮没 %A 何元金 %A 郁伟中 %A 李龙土 %J 物理 %P 0-0 %D 1982 %X ?正电子湮没技林(pat)在材料缺陷的研究中有着广泛的应用[1].但它用于铁电陶瓷组分缺陷的研究则刚刚开始.tsuda[2,3]等研究了掺gd的batio3的正电子寿命谱,证明正电子对掺gd所造成的ba空位是敏感的.本文报道la,mn复合置换的pbtio3铁电陶瓷的正电子寿命谱测量结果.样品配料分子式为(ph-(1-1.5x)其中表示pb空位,x值从1%到10%.样品按陶瓷工艺制成20×20×1.... %U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract27332.shtml