pmos金属栅极材料的研究进展
, PP. 0-0
Keywords: pmos,金属栅极,高k栅介质,功函数,界面偶极子
Abstract:
？随着金属氧化物半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistors,mosfets）等比缩小迈向45nm技术节点，金属栅极已应用于新型mosfet器件，改善了与高k栅介质的兼容性，并消除了传统多晶硅栅极的栅耗尽及硼穿透等效应.文章综述了pmos器件金属栅极材料的发展历程、面临的主要问题以及未来的研究趋势等.
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