%0 Journal Article
%T pmos金属栅极材料的研究进展
%A 杨智超
%A 黄安平
%A 肖志松
%J 物理
%P 0-0
%D 2010
%X ？随着金属氧化物半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistors,mosfets）等比缩小迈向45nm技术节点，金属栅极已应用于新型mosfet器件，改善了与高k栅介质的兼容性，并消除了传统多晶硅栅极的栅耗尽及硼穿透等效应.文章综述了pmos器件金属栅极材料的发展历程、面临的主要问题以及未来的研究趋势等.
%K pmos
%K 金属栅极
%K 高k栅介质
%K 功函数
%K 界面偶极子
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract31655.shtml