以高氢稀释硅烷为反应气源沉积硅薄膜

？以高浓度比的氢稀释硅烷为反应气源，在ｐｅｃｖｄ薄膜沉积系统中利用高频等离子体中［ｈ］基对生成膜表面弱ｓｉ－ｓｉ键的腐蚀作用，能有效地改善沉积硅膜中网络结构的完整性．并促使其成核生长，从而能沉积出高质量的ａ－ｓｉｈ膜以及具有纳米相结构的ｎｃ－ｓｉｈ膜．