%0 Journal Article
%T 以高氢稀释硅烷为反应气源沉积硅薄膜
%A 何宇亮
%J 物理
%P 0-0
%D 1993
%X ？以高浓度比的氢稀释硅烷为反应气源，在ｐｅｃｖｄ薄膜沉积系统中利用高频等离子体中［ｈ］基对生成膜表面弱ｓｉ－ｓｉ键的腐蚀作用，能有效地改善沉积硅膜中网络结构的完整性．并促使其成核生长，从而能沉积出高质量的ａ－ｓｉｈ膜以及具有纳米相结构的ｎｃ－ｓｉｈ膜．
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract29140.shtml