半导体量子器件物理讲座第二讲高电子迁移率晶体管(hemt)

？文章从异质界面的三角势阱中二维电子气的形成入手,计算了二维电子气的量子化能级及其面电子密度.对hemt器件材料结构参数的优化、器件的电荷控制模型及i-v特性作了分析