%0 Journal Article
%T 半导体量子器件物理讲座第二讲高电子迁移率晶体管(hemt)
%A 王良臣
%J 物理
%P 0-0
%D 2001
%X ？文章从异质界面的三角势阱中二维电子气的形成入手,计算了二维电子气的量子化能级及其面电子密度.对hemt器件材料结构参数的优化、器件的电荷控制模型及i-v特性作了分析
%K 二维电子气
%K 高电子迁移率晶体管
%K 势阱
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract29980.shtml