soi新结构——soi研究的新方向

？soi(silicon-on-insulator:绝缘体上单晶硅薄膜)技术已取得了突破性的进展，但一般soi结构是以sio2作为绝缘埋层，以硅作为顶层的半导体材料，这样导致了一些不利的影响，限制了其应用范围.为解决这些问题和满足一些特殊器件/电路的要求，探索研究新的soi结构成为soi研究领域新的热点.如soim，gpsoi，gesioi，sionaln,sicoi,gesioi,ssoi等.文章将结合作者的部分工作，报道soi新结构研究的新动向及其应用.