%0 Journal Article
%T soi新结构——soi研究的新方向
%A 谢欣云
%A 林青
%A 门传玲
%A 安正华
%A 张苗
%A 林成鲁
%J 物理
%P 0-0
%D 2002
%X ？soi(silicon-on-insulator:绝缘体上单晶硅薄膜)技术已取得了突破性的进展，但一般soi结构是以sio2作为绝缘埋层，以硅作为顶层的半导体材料，这样导致了一些不利的影响，限制了其应用范围.为解决这些问题和满足一些特殊器件/电路的要求，探索研究新的soi结构成为soi研究领域新的热点.如soim，gpsoi，gesioi，sionaln,sicoi,gesioi,ssoi等.文章将结合作者的部分工作，报道soi新结构研究的新动向及其应用.
%K soi新结构
%K soim
%K gpsoi
%K gesioi
%K sionaln
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract30119.shtml