a-SiCx∶H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索
, PP. 135-138
Keywords: 硅基合金,Er-O复合体,发光,分子轨道理论
Abstract:
本文提出在宽带隙的a-SiCx∶H或β-SiC中共掺铒和氧以实现铒的1.54μm光发射。用集团模型和电荷自洽的EHMO理论计算了β-SiC中Er缺陷的电子结构,并在实验上实现了Er在a-SiCx∶H中的1.54μm光致发光(77K).结果表明,β-SiC或a-SiCx:H有可能是实现Er的1.54m室温高效发光的优良基质材料.
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