%0 Journal Article
%T a-SiCx∶H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索
%A 薛俊明
%A 孙钟林
%A 刘志钢
%A 周伟
%J 电子学报
%P 135-138
%D 2000
%X 本文提出在宽带隙的a-SiCx∶H或β-SiC中共掺铒和氧以实现铒的1.54μm光发射。用集团模型和电荷自洽的EHMO理论计算了β-SiC中Er缺陷的电子结构,并在实验上实现了Er在a-SiCx∶H中的1.54μm光致发光(77K).结果表明,β-SiC或a-SiCx:H有可能是实现Er的1.54m室温高效发光的优良基质材料.
%K 硅基合金
%K Er-O复合体
%K 发光
%K 分子轨道理论
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract139.shtml