纳米金属-氧化物-半导体场效应晶体管的热电子发射和弹道输运模型

本文首先给出了SOI上纳米金属-氧化物-半导体场效应晶体管(NANO-MOSFET)的结构,它是一种非传统MOSFET.NANO-MOSFET源漏区采用金属,沟道采用本征硅,该结构避免了传统MOSFET的短沟道效应.利用一组基本器件方程式,我们模拟并分析了NANO-MOSFET的基本特性.计算表明,NANO-MOSFET在一定范围内源漏电导受栅极电压显著调控,适用于各种数字电路,包括存储单元.另外,选取合适的直流偏置点,NANO-MOSFET可用作模拟小信号放大器.